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元件参数资料
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参数目录44312
> VDZT2R6.8B DIODE ZENER 6.8V 100MW VMD2
型号:
VDZT2R6.8B
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
DIODE ZENER 6.8V 100MW VMD2
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
VDZT2R6.8B PDF
标准包装
1
系列
-
电压 - 齐纳(标称)(Vz)
6.8V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
-
电流 - 在 Vr 时反向漏电
500nA @ 3.5V
容差
±2%
功率 - 最大
100mW
阻抗(最大)(Zzt)
40 欧姆
安装类型
表面贴装
封装/外壳
2-SMD,扁平引线
供应商设备封装
VMD2
包装
标准包装
工作温度
-55°C ~ 150°C
其它名称
VDZT2R6.8BDKR
查看VDZT2R6.8B代理商
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